冶炼工业废气中SO_2的脱除研究

研究用软锰矿的水悬浮液脱除冶炼工业废气中SO_2的工艺可行性,提出抑制副产物MnS_2O_6生成的途径。     

高频等离子体化学气相淀积法制备TiO2超细粒子

利用ＴｉＣｌ４＋Ｏ２体系，在高频等离子体化学气相淀积反应器中合成了纯度高、粒度细的ＴｉＯ２粒子。考察了工艺条件对ＴｉＯ２粒子物性的影响；探讨了ＴｉＯ２粒子晶型控制的方法，金红石型质量分数可通过工艺条件控制；探讨了ＴｉＯ２粒子晶型控制的方法。金红石型质量分数可通过工艺条件控制，减少ＴｉＯ２单体浓度可提高金红石型质量分数；也可通过在原料ＴｉＣｌ４中添加ＡｌＣｌ３等晶型转化剂，使可转化为单一金红石型Ｔｉ     

激光开槽、埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ２的条件下，以面积为４５ｃｍ３的３６片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为ＪＳＣ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ２，Ｖ∞＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。     

硼铁矿高炉冶炼过程中铀的物化行为

硼铁矿中含有微量铀，采用液态核乳胶照相，铀的价态分析，Ｘ射线衍射分析，电子探针等手段，测定了矿石中的铀以晶质铀矿物形成存在。矿石经高炉冶炼大部分ＵＯ３被还原成ＵＯ２在渣中富集，渣中的铀仍以晶质铀矿物形式存在。铀与其它矿物镶嵌关系及颗粒度大小均发生了变化。     

纳米TiO2光催化剂在酸性黑水溶液中的吸附机制

目的研究纳米TiO2光催化剂在酸性黑NB水溶液中的吸附机制。方法以偏钛酸为钛源,均匀沉淀法制备纳米TiO2光催化剂,用TEM,XRD对所得纳米TiO2光催化剂的结构进行了表征。以获得的纳米TiO2光催化剂为吸附剂,对纳米TiO2在酸性黑NB水溶液中的吸附机制进行了实验研究。结果TiO2-NB水溶液固-液两相吸附符合Langmiur等温吸附式,测定了模型参数。确定的模型参数最大吸附量xmax为10.78 mg,吸附平衡常数q为0.257 L/mg。结论溶液的pH值对纳米TiO2-NB水溶液的吸附影响明显,pH越小表面吸附越强;IR进一步地分析了纳米TiO2-NB水溶液的吸附过程。吸附机制分析表明,NB分子在表面上的吸附是由于TiO2表面极性特性引发的表面羟基化。     

器件表面保护用有机硅漆导电机理的探讨

通过测量不同固化条件下高压硅器件用有机保护材料聚酯改性硅有机漆SP的电阻率随温度变化的规律,并借助于对经各种条件固化后SP的热重、差热分析、红外光谱分析,研讨了它的高温导电机理.实验结果表明,在一定的固化条件下,固化后的材料在高温时具有最高的电阻率,材料中离子输运最弱,并具有较佳微观结构,这时材料的固化温度是210℃.提出了SP的高温电导主要是含羟基的分子产生的本征离子电导的新观点,建立了SP的高温导电模型,并对电性能测量结果作出了新的解释.     

FEMD吸附水蒸汽的研究

采用静态吸附重量法研究了几种电解二氧化锰样品对水蒸汽的吸附,实验结果表明,样品经393.2K和523.2K处理2小时后,吸附水蒸汽的等温线外形类似于Ⅲ类吸附等温线。经523.2K处理2小时的样品,吸湿性低于经393.2K处理的样品。FEMD样品在常温下吸附后,并在低于50℃的温度下脱附2小时,反复进行10次,最后一次的吸附量相当于第一次吸附量的65％。     

溶剂萃取法制备碳酸盐的热力学讨论

向金属氯化物(Ⅰ)的水溶液中通入CO_2气体,以期制备相应的碳酸盐和酸式碳酸盐,在常温常压下,体系的△G>0,反应几乎是不可能的。向反应体系中加入有机溶剂(S),使生成的HCl即被萃取,可促进Ⅰ的继续转化。分析计算表明,S对HCl必须有很强的萃取能力,其K_萃须在10~5以上。研究了加入有机溶剂N_(235)前后,体系的热力学状态、函数及其变化。加入N_(235)后,K_萃值增大了5个数量级。考察了温度、时间和通气次数对系统热力学性质的影响。根据反应的耦合原理和热力学分析,提出萃取剂选择的原则。结合实验数据的估算说明:溶剂萃取法由Ⅰ和CO_2制备碳酸盐的工艺路线是可行的。     

致密油藏二氧化碳吞吐过程中低压区域对二氧化碳波及范围的影响

二氧化碳在油藏中的波及范围是影响致密油藏二氧化碳吞吐提高采收率效果的关键因素。如何扩大注入的二氧化碳在油藏中的波及范围是新的研究热点。运用油藏数值模拟软件,建立致密油藏二氧化碳吞吐的理论模型,通过监测吞吐过程中油藏压力及二氧化碳含量变化,发现压力平衡过程中存在限制二氧化碳波及范围的低压区域,在此基础上,分析了注入压力、焖井时间和吞吐轮次对二氧化碳波及范围的影响。研究结果表明：注入压力是影响二氧化碳波及范围的主要因素,吞吐轮次对二氧化碳波及范围的影响较小。     

多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。